Ничего не куплено!
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | |
Pd - рассеивание мощности | 150 W |
Вес изделия | 1.312 g |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 10 V |
Минимальная рабочая температура | - 40 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 450 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.64 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 23 A |
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 23 A |
Производитель | Fairchild Semiconductor |
Торговая марка | Fairchild Semiconductor |
Упаковка | Reel |
Упаковка / блок | TO-263AB-3 |