Ничего не куплено!
IXSN50N60BD3
Производитель: IXYS
Номер части: IXSN50N60BD3
Нормоупаковка: 10 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: IXSN50N60BD3
Нормоупаковка: 10 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
| Описание | действие |
| IXSN50N60BD3 Лист данных | скачать |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 75 Amps 600V 2.5 Rds
| Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | |
| Вес изделия | 38 g |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
| Конфигурация | Single Dual Emitter |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 75 A |
| Производитель | IXYS |
| Размер фабричной упаковки | 10 |
| Серия | IXSN50N60 |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | SOT-227B-4 |
Страница создана за 0.144 секунд.