Ничего не куплено!
NGTB15N60R2FG
Производитель: ON Semiconductor
Номер части: NGTB15N60R2FG
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: NGTB15N60R2FG
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
| Описание | действие |
| NGTB15N60R2FG Лист данных | скачать |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) RC2 IGBT 15A 600V
| Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | |
| Pd - рассеивание мощности | 54 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.85 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 24 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 14 A |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Ток утечки затвор-эмиттер | +/- 100 nA |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
Страница создана за 0.184 секунд.