STGB20N40LZ

STGB20N40LZ

STGB20N40LZ
Производитель: STMicroelectronics
Номер части: STGB20N40LZ
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 390V IGBT EAS 300mJ Internally Clamped
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Pd - рассеивание мощности 150 W
Вид монтажа SMD/SMT
Категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 16 V
Минимальная рабочая температура - 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 425 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.5 V
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 25 A
Производитель STMicroelectronics
Размер фабричной упаковки 1000
Серия 300-400V IGBTs
Ток утечки затвор-эмиттер 625 uA
Торговая марка STMicroelectronics
Упаковка Reel
Упаковка / блок D2PAK-3
Метки:
Страница создана за 0.14 секунд.