IXGT32N170

Производитель: IXYS
Номер части: IXGT32N170
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
IXGT32N170 Лист данных	скачать

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 72 Amps 1700 V 3.3 V Rds

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Pd - рассеивание мощности	350 W
Вес изделия	4.500 g
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 20 V
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	1.7 kV
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	75 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	200 A
Производитель	IXYS
Размер фабричной упаковки	30
Серия	IXGT32N170
Ток утечки затвор-эмиттер	100 nA
Торговая марка	IXYS
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-268-3

Метки: