Ничего не куплено!
NGTG12N60TF1G
Производитель: ON Semiconductor
Номер части: NGTG12N60TF1G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: NGTG12N60TF1G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
| Описание | действие |
| NGTG12N60TF1G Лист данных | скачать |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 12A IGBT TO-3PF
| Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | |
| Pd - рассеивание мощности | 54 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.6 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 24 A |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Серия | NGTG12N60TF1G |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-3PF-3L |
Страница создана за 0.136 секунд.