FGL60N100BNTDTU

Производитель: Fairchild Semiconductor
Номер части: FGL60N100BNTDTU
Нормоупаковка: 375 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 375

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
FGL60N100BNTDTU Лист данных	скачать

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HIGH POWER

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Pd - рассеивание мощности	180 W
Вес изделия	6.756 g
Вид монтажа	Through Hole
Другие названия товара №	FGL60N100BNTDTU_NL
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 25 V
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	1000 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	60 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	60 A
Производитель	Fairchild Semiconductor
Размер фабричной упаковки	375
Серия	FGL60N100BNTDTU
Ток утечки затвор-эмиттер	+/- 500 nA
Торговая марка	Fairchild Semiconductor
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-264-3

Метки: