Ничего не куплено!


| Описание | действие |
| FGPF10N60UNDF Лист данных | скачать |
| Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | |
| Pd - рассеивание мощности | 17 W |
| Вес изделия | 2.270 g |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 20 A |
| Производитель | Fairchild Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | FGPF10N60UNDF |
| Торговая марка | Fairchild Semiconductor |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220F |