Ничего не куплено!


| Описание | действие |
| FGH40T120SMDL4 Лист данных | скачать |
| Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | |
| Pd - рассеивание мощности | 555 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 25 V |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1.2 kV |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.8 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 80 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 40 A |
| Производитель | Fairchild Semiconductor |
| Ток утечки затвор-эмиттер | +/- 400 nA |
| Торговая марка | Fairchild Semiconductor |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247-4 |