NGTB20N120IHSWG

Производитель: ON Semiconductor
Номер части: NGTB20N120IHSWG
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
NGTB20N120IHSWG Лист данных	скачать

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200/20A IGBT LPT TO-247

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Pd - рассеивание мощности	156 W
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 20 V
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	40 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	40 A
Производитель	ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки	30
Серия	NGTB20N120IHS
Ток утечки затвор-эмиттер	100 nA
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247

Метки: