Ничего не куплено!
NGTB30N120L2WG
Производитель: ON Semiconductor
Номер части: NGTB30N120L2WG
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: NGTB30N120L2WG
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/30A LOW VCE SAT FSII
| Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | |
| Pd - рассеивание мощности | 534 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.7 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 60 A |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Серия | NGTB30N120L2 |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 200 nA |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247 |
Страница создана за 0.138 секунд.