STGD7NB60ST4

Производитель: STMicroelectronics
Номер части: STGD7NB60ST4
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
STGD7NB60ST4 Лист данных	скачать

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 7 Amp

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Pd - рассеивание мощности	55 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 20 V
Минимальная рабочая температура	- 65 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.6 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	15 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	15 A
Производитель	STMicroelectronics
Размер фабричной упаковки	2500
Серия	STGD7NB60S
Ток утечки затвор-эмиттер	+/- 100 nA
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	TO-252-3

Метки: