Ничего не куплено!
IGP30N60H3
Производитель: Infineon Technologies
Номер части: IGP30N60H3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: IGP30N60H3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 30A 187W
| Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | |
| Pd - рассеивание мощности | 187 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Другие названия товара № | IGP30N60H3XK IGP30N60H3XKSA1 SP000702546 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.95 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 60 A |
| Производитель | Infineon |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Серия | IGP30N60 |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
Страница создана за 0.148 секунд.