FGA50S110P

Производитель: Fairchild Semiconductor
Номер части: FGA50S110P
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
FGA50S110P Лист данных	скачать

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1100 V, 50 A Shorted-anode IGBT

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Pd - рассеивание мощности	300 W
Вес изделия	6.401 g
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	25 V
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	1100 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2.7 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	50 A
Производитель	Fairchild Semiconductor
Размер фабричной упаковки	450
Серия	FGA50S110P
Ток утечки затвор-эмиттер	500 nA
Торговая марка	Fairchild Semiconductor
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-3PN

Метки: