Ничего не куплено!
RGT16NS65DGTL
Производитель: Rohm Semiconductor
Номер части: RGT16NS65DGTL
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: RGT16NS65DGTL
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 8A Field Stop Trench IGBT
| Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | |
| Pd - рассеивание мощности | 94 W |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 30 V |
| Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.65 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 16 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 16 A |
| Производитель | ROHM Semiconductor |
| Серия | RGT16NS65D |
| Ток утечки затвор-эмиттер | +/- 200 nA |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка | Reel |
Страница создана за 0.139 секунд.