STGW40N120KD

Производитель: STMicroelectronics
Номер части: STGW40N120KD
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
STGW40N120KD Лист данных	скачать

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 40 A - 1200 V SC rugged IGBT

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Pd - рассеивание мощности	240 W
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Максимальная рабочая температура	+ 125 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 25 V
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2.8 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	80 A
Производитель	STMicroelectronics
Размер фабричной упаковки	600
Серия	900-1300V IGBTs
Ток утечки затвор-эмиттер	100 nA
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247

Метки: