Ничего не куплено!
FPAB30BH60B
Производитель: Fairchild Semiconductor
Номер части: FPAB30BH60B
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: FPAB30BH60B
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) SPM for Front-End Rectifier;Motion-SPM
| Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | |
| Pd - рассеивание мощности | 104 W |
| Вес изделия | 21.390 g |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
| Максимальная рабочая температура | + 125 C |
| Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 30 A |
| Производитель | Fairchild Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки | 60 |
| Серия | SPM3 |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 250 uA |
| Торговая марка | Fairchild Semiconductor |
| Упаковка | Tube |
Страница создана за 0.126 секунд.