Ничего не куплено!
IKW75N60H3FKSA1
Производитель: Infineon Technologies
Номер части: IKW75N60H3FKSA1
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: IKW75N60H3FKSA1
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS
| Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | |
| Pd - рассеивание мощности | 428 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Другие названия товара № | IKW75N60H3 IKW75N60H3XK SP000906806 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.3 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 80 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 75 A |
| Производитель | Infineon |
| Размер фабричной упаковки | 240 |
| Серия | IKW75N60 |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | PG-TO-247-3 |
Страница создана за 0.138 секунд.