IHW15N120R3

Производитель: Infineon Technologies
Номер части: IHW15N120R3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
IHW15N120R3 Лист данных	скачать

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Body

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Pd - рассеивание мощности	254 W
Вид монтажа	Through Hole
Другие названия товара №	IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3XK SP000521590
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.7 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	30 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	15 A
Производитель	Infineon
Размер фабричной упаковки	240
Серия	IHW15N120
Ток утечки затвор-эмиттер	100 nA
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	PG-TO-247-3

Метки: