FGAF20N60SMD

Производитель: Fairchild Semiconductor
Номер части: FGAF20N60SMD
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
FGAF20N60SMD Лист данных	скачать

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600 V 40 A 62.5 W

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Pd - рассеивание мощности	62.5 W
Вес изделия	7 g
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.9 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	40 A
Производитель	Fairchild Semiconductor
Размер фабричной упаковки	360
Серия	FGAF20N60
Ток утечки затвор-эмиттер	400 nA
Торговая марка	Fairchild Semiconductor
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-3PF

Метки: