Ничего не куплено!
FGY75N60SMD
Производитель: Fairchild Semiconductor
Номер части: FGY75N60SMD
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: FGY75N60SMD
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V, 75A Field Stop IGBT
| Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | |
| Pd - рассеивание мощности | 750 W |
| Вес изделия | 7.629 g |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.9 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 150 A |
| Производитель | Fairchild Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки | 450 |
| Серия | FGY75N60SMD |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
| Торговая марка | Fairchild Semiconductor |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | Power-247 |
Страница создана за 0.17 секунд.