NGTB50N60S1WG

Производитель: ON Semiconductor
Номер части: NGTB50N60S1WG
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
NGTB50N60S1WG Лист данных	скачать

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FSII 50A 600V Welding

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Pd - рассеивание мощности	417 W
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 20 V
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.8 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	100 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	50 A
Производитель	ON Semiconductor
Ток утечки затвор-эмиттер	200 nA
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247-3

Метки: