IXGH30N120B3D1

Производитель: IXYS
Номер части: IXGH30N120B3D1
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
IXGH30N120B3D1 Лист данных	скачать

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 60 Amps 1200V

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Pd - рассеивание мощности	300 W
Вес изделия	6.500 g
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Коммерческое обозначение	GenX3
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 20 V
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	1.2 kV
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2.96 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	50 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	150 A
Производитель	IXYS
Размер фабричной упаковки	30
Серия	IXGH30N120
Ток утечки затвор-эмиттер	100 nA
Торговая марка	IXYS
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247-3

Метки: