HGT1S10N120BNST

Производитель: Fairchild Semiconductor
Номер части: HGT1S10N120BNST
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Channel IGBT NPT Series 1200V

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Pd - рассеивание мощности	298 W
Вес изделия	1.312 g
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 20 V
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2.7 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	35 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	35 A
Производитель	Fairchild Semiconductor
Размер фабричной упаковки	800
Серия	HGT1S10N120BNS
Ток утечки затвор-эмиттер	+/- 250 nA
Торговая марка	Fairchild Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	TO-263AB-3

Метки: