Ничего не куплено!
STGW25H120F2
Производитель: STMicroelectronics
Номер части: STGW25H120F2
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: STGW25H120F2
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT & Power Bipolar
| Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | |
| Pd - рассеивание мощности | 375 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.1 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 50 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 25 A |
| Производитель | STMicroelectronics |
| Серия | 900-1300V IGBTs |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 250 nA |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
Страница создана за 0.155 секунд.