FGA30S120P

Производитель: Fairchild Semiconductor
Номер части: FGA30S120P
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
FGA30S120P Лист данных	скачать

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Shorted AnodeTM IGBT

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Pd - рассеивание мощности	174 W
Вес изделия	6.401 g
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	25 V
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	1300 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2.3 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	60 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	60 A
Производитель	Fairchild Semiconductor
Размер фабричной упаковки	450
Серия	FGA30S120P
Ток утечки затвор-эмиттер	500 nA
Торговая марка	Fairchild Semiconductor
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-3PN

Метки: