Ничего не куплено!
IKW50N60H3
Производитель: Infineon Technologies
Номер части: IKW50N60H3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: IKW50N60H3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
| Описание | действие |
| IKW50N60H3 Лист данных | скачать |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HIGH SPEED SWITCHING
| Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | |
| Pd - рассеивание мощности | 333 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Другие названия товара № | IKW50N60H3FKSA1 IKW50N60H3XK SP000852244 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.85 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 100 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 100 A |
| Производитель | Infineon |
| Размер фабричной упаковки | 240 |
| Серия | IKW50N60 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
Страница создана за 0.165 секунд.