Ничего не куплено!
IXDN55N120D1
Производитель: IXYS
Номер части: IXDN55N120D1
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: IXDN55N120D1
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
| Описание | действие |
| IXDN55N120D1 Лист данных | скачать |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 55 Amps 1200V
| Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | |
| Вес изделия | 38 g |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
| Конфигурация | Single Dual Emitter |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.3 V |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 100 A |
| Производитель | IXYS |
| Серия | IXDN55N120 |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | SOT-227B-4 |
Страница создана за 0.789 секунд.