STGW80V60DF

Производитель: STMicroelectronics
Номер части: STGW80V60DF
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
STGW80V60DF Лист данных	скачать

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate V series 600V 80A HiSpd

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Pd - рассеивание мощности	469 W
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.85 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	120 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	80 A
Производитель	STMicroelectronics
Размер фабричной упаковки	600
Серия	600-650V IGBTs
Ток утечки затвор-эмиттер	250 nA
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247-3

Метки: