FGA30N65SMD

Производитель: Fairchild Semiconductor
Номер части: FGA30N65SMD
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 30A FS Planar Gen2 IGBT

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Pd - рассеивание мощности	300 W
Вес изделия	6.401 g
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 20 V
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2.29 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	60 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	30 A
Производитель	Fairchild Semiconductor
Размер фабричной упаковки	450
Серия	FGA30N65SMD
Ток утечки затвор-эмиттер	400 nA
Торговая марка	Fairchild Semiconductor
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-3PN-3

Метки: