NGTB35N60FL2WG

Производитель: ON Semiconductor
Номер части: NGTB35N60FL2WG
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
NGTB35N60FL2WG Лист данных	скачать

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V/35A FAST IGBT FSII T

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Pd - рассеивание мощности	300 W
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2.2 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	70 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	70 A
Производитель	ON Semiconductor
Ток утечки затвор-эмиттер	200 nA
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247-3

Метки: