HGTG18N120BND

Производитель: Fairchild Semiconductor
Номер части: HGTG18N120BND
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
HGTG18N120BND Лист данных	скачать

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 54A 1200V N-Ch w/Ant Parallel Hyprfst Dde

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Pd - рассеивание мощности	390 W
Вес изделия	6.390 g
Вид монтажа	Through Hole
Другие названия товара №	HGTG18N120BND_NL
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 20 V
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2.45 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	54 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	54 A
Производитель	Fairchild Semiconductor
Размер фабричной упаковки	450
Серия	HGTG18N120
Ток утечки затвор-эмиттер	+/- 250 nA
Торговая марка	Fairchild Semiconductor
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247-3

Метки: