Ничего не куплено!
IGP20N65H5
Производитель: Infineon Technologies
Номер части: IGP20N65H5
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: IGP20N65H5
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
| Описание | действие |
| IGP20N65H5 Лист данных | скачать |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
| Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | |
| Pd - рассеивание мощности | 125 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Другие названия товара № | IGP20N65H5XKSA1 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.65 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 42 A |
| Производитель | Infineon |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
Страница создана за 2.837 секунд.