NGTB30N120IHRWG

Производитель: ON Semiconductor
Номер части: NGTB30N120IHRWG
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
NGTB30N120IHRWG Лист данных	скачать

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/30A RC IGBT FSII

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Pd - рассеивание мощности	384 W
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	25 V
Минимальная рабочая температура	- 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2.2 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	60 A
Производитель	ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки	30
Серия	NGTB30N120IHR
Ток утечки затвор-эмиттер	100 nA
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247

Метки: