NGTB40N135IHRWG

Производитель: ON Semiconductor
Номер части: NGTB40N135IHRWG
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
NGTB40N135IHRWG Лист данных	скачать

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1350V/40A IGBT FSII TO-24

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Pd - рассеивание мощности	394 W
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	25 V
Минимальная рабочая температура	- 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	1350 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2.4 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	80 A
Производитель	ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки	30
Серия	NGTB40N135IHR
Ток утечки затвор-эмиттер	100 nA
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247

Метки: