Ничего не куплено!
IXGR60N60C3D1
Производитель: IXYS
Номер части: IXGR60N60C3D1
Нормоупаковка: 30 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: IXGR60N60C3D1
Нормоупаковка: 30 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
| Описание | действие |
| IXGR60N60C3D1 Лист данных | скачать |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 60 Amps 600V
| Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | |
| Pd - рассеивание мощности | 170 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.5 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 75 A |
| Производитель | IXYS |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Серия | IXGR60N60 |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | ISOPLUS247 |
Страница создана за 0.208 секунд.