Ничего не куплено!
APT45GP120B2DQ2G
Производитель: Microsemi
Номер части: APT45GP120B2DQ2G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: APT45GP120B2DQ2G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi
| Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | |
| Pd - рассеивание мощности | 625 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
| Коммерческое обозначение | POWER MOS 7 IGBT |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1.2 kV |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 3.3 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 113 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 113 A |
| Производитель | Microsemi |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Торговая марка | Microsemi |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | T-Max-3 |
Страница создана за 0.138 секунд.