Ничего не куплено!
STGB8NC60KDT4
Производитель: STMicroelectronics
Номер части: STGB8NC60KDT4
Нормоупаковка: 2000 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: STGB8NC60KDT4
Нормоупаковка: 2000 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
| Описание | действие |
| STGB8NC60KDT4 Лист данных | скачать |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 100V 0.033 Ohm 25A Pwr MOSFET
| Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 15 A |
| Производитель | STMicroelectronics |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | STGB8NC60KD |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | D2PAK-3 |
Страница создана за 0.153 секунд.