IXGB200N60B3

Производитель: IXYS
Номер части: IXGB200N60B3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
IXGB200N60B3 Лист данных	скачать

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) GenX3 600V IGBT

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Pd - рассеивание мощности	1.25 kW
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Коммерческое обозначение	GenX3
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 20 V
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.35 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	75 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	600 A
Производитель	IXYS
Размер фабричной упаковки	25
Серия	IXGB200N60
Ток утечки затвор-эмиттер	100 nA
Торговая марка	IXYS
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	PLUS 264-3

Метки: