Ничего не куплено!
FGB20N60SF
Производитель: Fairchild Semiconductor
Номер части: FGB20N60SF
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: FGB20N60SF
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Цена в Азии: по запросу
Цена в Азии: по запросу
| Описание | действие |
| FGB20N60SF Лист данных | скачать |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V, 20A Field Stop IGBT
| Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | |
| Pd - рассеивание мощности | 208 W |
| Вес изделия | 1.312 g |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.2 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 40 A |
| Производитель | Fairchild Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки | 800 |
| Серия | FGB20N60SF |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
| Торговая марка | Fairchild Semiconductor |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | D2PAK |
Страница создана за 0.177 секунд.