FGPF4565

Производитель: Fairchild Semiconductor
Номер части: FGPF4565
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
FGPF4565 Лист данных	скачать

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V FS Trench for IPL Application

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Pd - рассеивание мощности	30 W
Вес изделия	2.270 g
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	25 V
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.88 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	170 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	170 A
Производитель	Fairchild Semiconductor
Ток утечки затвор-эмиттер	400 nA
Торговая марка	Fairchild Semiconductor
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220F

Метки: