IXGX100N170

IXGX100N170

IXGX100N170
Производитель: IXYS
Номер части: IXGX100N170
Нормоупаковка: 30 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 30
Описание действие
IXGX100N170 Лист данных скачать
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HIGH VOLT NPT IGBTS 1700V 100A
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Pd - рассеивание мощности 830 W
Вид монтажа Through Hole
Категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Минимальная рабочая температура - 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.7 kV
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 170 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 600 A
Производитель IXYS
Размер фабричной упаковки 30
Серия IXGX100N170
Ток утечки затвор-эмиттер 200 nA
Торговая марка IXYS
Упаковка Tube
Упаковка / блок PLUS 247-3
Метки:
Страница создана за 0.704 секунд.