STGW15H120DF2

Производитель: STMicroelectronics
Номер части: STGW15H120DF2
Нормоупаковка: 600 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 600

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
STGW15H120DF2 Лист данных	скачать

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT & Power Bipolar

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Pd - рассеивание мощности	259 W
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2.1 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	30 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	15 A
Производитель	STMicroelectronics
Серия	900-1300V IGBTs
Ток утечки затвор-эмиттер	250 nA
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247-3

Метки: