Ничего не куплено!
STGP35N35LZ
Производитель: STMicroelectronics
Номер части: STGP35N35LZ
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: STGP35N35LZ
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) EAS 450mJ 345V PowerMESH IGBT
| Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | |
| Pd - рассеивание мощности | 176 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.7 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 40 A |
| Производитель | STMicroelectronics |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | 300-400V IGBTs |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 830 uA |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220 |
Страница создана за 0.154 секунд.