STGP10NC60HD

Производитель: STMicroelectronics
Номер части: STGP10NC60HD
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
STGP10NC60HD Лист данных	скачать

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH TM IGBT

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Pd - рассеивание мощности	56 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 20 V
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.9 V
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	20 A
Производитель	STMicroelectronics
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	600-650V IGBTs
Ток утечки затвор-эмиттер	100 nA
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	DPAK-3

Метки: