Ничего не куплено!
STGD19N40LZ
Производитель: STMicroelectronics
Номер части: STGD19N40LZ
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: STGD19N40LZ
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
| Описание | действие |
| STGD19N40LZ Лист данных | скачать |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT & Power Bipolar
| Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | |
| Pd - рассеивание мощности | 125 W |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 16 V |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 390 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.35 V |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 25 A |
| Производитель | STMicroelectronics |
| Серия | 300-400V IGBTs |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 625 uA |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | DPAK-3 |
Страница создана за 0.166 секунд.