FGH75T65UPD

Производитель: Fairchild Semiconductor
Номер части: FGH75T65UPD
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
FGH75T65UPD Лист данных	скачать

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 150A 187W

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Pd - рассеивание мощности	187 W
Вес изделия	6.390 g
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2.3 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	150 A
Производитель	Fairchild Semiconductor
Размер фабричной упаковки	450
Серия	FGH75T65
Ток утечки затвор-эмиттер	400 nA
Торговая марка	Fairchild Semiconductor
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247

Метки: