FGA50N100BNTDTU

Производитель: Fairchild Semiconductor
Номер части: FGA50N100BNTDTU
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
FGA50N100BNTDTU Лист данных	скачать

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 4 0A UFD

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Pd - рассеивание мощности	156 W
Вес изделия	6.401 g
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 25 V
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	1000 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2.5 V
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	50 A
Производитель	Fairchild Semiconductor
Размер фабричной упаковки	450
Серия	FGA50N100BNT
Ток утечки затвор-эмиттер	+/- 500 nA
Торговая марка	Fairchild Semiconductor
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-3P-3

Метки: