Ничего не куплено!


| Описание | действие |
| FGH75T65SQD-F155 Лист данных | скачать |
| Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | |
| Pd - рассеивание мощности | 375 W |
| Вес изделия | 6.390 g |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Другие названия товара № | FGH75T65SQD_F155 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.6 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 150 A |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки | 450 |
| Серия | FGH75T65SQD |
| Технология | Si |
| Ток утечки затвор-эмиттер | +/- 400 nA |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| CNHTS | 8541290000 |
| MXHTS | 85412999 |
| TARIC | 8541290000 |