Ничего не куплено!
Описание | действие |
FGH75T65SQD-F155 Лист данных | скачать |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | |
Pd - рассеивание мощности | 375 W |
Вес изделия | 6.390 g |
Вид монтажа | Through Hole |
Другие названия товара № | FGH75T65SQD_F155 |
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.6 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 150 A |
Производитель | ON Semiconductor |
Размер фабричной упаковки | 450 |
Серия | FGH75T65SQD |
Технология | Si |
Ток утечки затвор-эмиттер | +/- 400 nA |
Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-247-3 |
CNHTS | 8541290000 |
MXHTS | 85412999 |
TARIC | 8541290000 |