IEWS20R5135IPBXKMA1

Производитель: Infineon Technologies
Номер части: IEWS20R5135IPBXKMA1
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Срок эксплуатации:

Новый продукт: Новинка от этого производителя.

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Pd - рассеивание мощности	288 W
Вид монтажа	Through Hole
Другие названия товара №	IEWS20R5135IPB
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 125 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
Минимальная рабочая температура	- 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	1350 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.65 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	40 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	20 A
Производитель	Infineon
Размер фабричной упаковки	400
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247-6
CNHTS	8541290000

Метки: